Оперативная память ноутбука

Выбор ОЗУ ноутбука

Настроить улучшить работу ноутбука

СПб Большой Проспект Петроградской Стороны дом 100 офис 318 телефон (812) 922-98-73


Выбор модуля памяти ноутбука

В сервисном центре Вы можете протестировать оперативную память ноутбука, заменить неисправные модули, провести диагностику стабильности работы ноутбука

Стоимость модуля памяти для ноутбука от 2500 рублей за 4ГБ
Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогает оптимальный подбор характеристик ОЗУ

Основнымх характеристик ОЗУ

Частоты
Фактически значение частоты показывает, сколько полезных тактов могут совершить модули памяти за секунду реального времени. Для памяти типа DDR, которая используется в современных ноутбуках, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная частота.
Напряжения
Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1.5 В. Для DDR2 разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1.65 В.
Задержки (тайминга)
Взаимодействием с ОЗУ занимается контроллер памяти. Получив от процессора команду на чтение или запись бита данных с логическим адресом, он определяет, в каком банке/строке/столбце располагается нужная ячейка и что с ней следует делать. Проблема заключается в том, что ячейка не может быть обработана мгновенно должно пройти определенное время (читай: число тактов памяти), прежде чем нужная операция будет выполнена. Задержки, возникающие на определенных этапах чтения/записи битов, и именуются таймингами.

Стоимость работ выбор модуля памяти - Цены указаны без учета запчастей

Тестирование модуля памяти 500 рублей
Замена модуля c разборкой ноутбука 1000 рублей
Замена памяти без разборки 100 рублей

Существует большое количество таймингов, однако ключевое влияние на производительность памяти оказывают лишь некоторые из них.


  1. CAS Latency
  2. RAS-to-CAS Delay
  3. Row Precharge Time
  4. Row Active Time
  5. CAS Latency

RAS-to-CAS Delay
Чтобы понять, за что отвечают те или иные задержки, следует разобраться, как происходит считывание данных из ячеек. Для начала чип памяти должен подготовить к обработке нужную строку и столбец в банке. Для этого им отсылается соответствующая команда, после чего происходит процесс активации строки, занимающий определенное время. Количество тактов, необходимое для «пробуждения» строки, как раз и зовется RAS-to-CAS Delay .


CAS Latency
Далее контроллер отправляет нужной последовательности ячеек команду на считывание, однако на шину данных первая порция информации поступает не сразу, а спустя несколько тактов — эта задержка именуется CAS Latency и считается ключевой для модулей памяти.


Row Precharge Time
После того как все необходимые данные считаны, контроллером отдается команда на закрытие и подзарядку строки. Row Precharge Time, вступает в силу сразу после закрытия строки. Дело в том, что последующий доступ к этой строке становится возможным не сразу, а лишь после подзарядки, которая отнимает определенное число тактов — за этот интервал и отвечает Row Precharge Time.


Tайминг Row Active Time показывает период активности строки, то есть количество тактов, прошедших от момента ее активации до момента поступления команды подзарядки. Фактически эта задержка зависит от параметров RAS-to-CAS Delay


CAS Latency подбирают сложением трех других таймингов. Это не совсем корректно, зато позволяет гарантированно избежать проблем со стабильностью работы при минимальных потерях производительности. Запись данных в ячейки памяти осуществляется схожим образом.

Разгон оперативной памяти ноутбука

Многие допускают следующую ошибку: они устанавливают в ноутбук модули DDR3 с запредельной рабочей частотой (скажем, 2400 МГц) и остаются в счастливой уверенности, что память в их ноутбуке уже работает на заявленной скорости. Однако без дополнительных манипуляций со стороны пользователя подобные плашки будут работать в том же режиме, что и их дешевые собратья. Объясняется это тем. что базовые настройки памяти материнская плата черпает из специального чипа SPD (Serial Presence Detect), коим в обязательном порядке оснащается каждый DDR-модуль. Прописанные в SPD частоты и тайминги, как правило, далеки от максимально возможных — это сделано для того, чтобы модули могли стартовать даже в очень слабой системе. Соответственно, такую память приходится дополнительно разгонять.
Компания Intel продвигает особое расширение для чипа SPD, известное как ХМР (Extreme Memory Profiles). Оно записывает в модули памяти информацию о дополнительных настройках системы, которая может быть считана материнскими платами с поддержкой этой технологии. Если материнке удастся подхватить нужный профиль ХМР (он выбирается через BIOS), то она автоматически выставит заявленную в нем частоту памяти, подкорректировав ради этого другие параметры системы, — произойдёт автоматический разгон. Правда, при этом крайне желательно, чтобы память была сертифицирована для той платформы, на которую она установлена, иначе профиль либо не сработает, либо сработает, но не так, как надо. Кроме того, никогда не лишне перепроверить выставленные автоматикой значения, некоторые производители памяти умудряются прописывать в профиле ХМР такие настройки, от которых система может скоропостижно скончаться.

В целом же технология эта очень полезна, но дружит она только с процессорами Intel.


На модули со вшитыми профилями ЕРР было принято лепить шилдик «SLI Ready», хотя к технологии SLI такая память не имела никакого отношения. Стоит отметить, что еще до появления ХМР компании NVIDIA и Corsair продвигали аналогичную разработку, известную как EPP (Enhanced Performance Profiles), но она не прижилась.
Повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами: можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными задержками.

Разгон через bios на многих ноутбуках не возможен в силу ограниченности предоставляемых настроек, однако существуют модели, где это возможно по аналогии с материнскими платами PC.

Скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения. получаем итоговую частоту ОЗУ.


Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно. Повышая рабочее напряжение, можно увеличить разгонный потенциал модулей, но бездумно задирать этот параметр не стоит — память может и перегореть.


остались вопросы? Свяжитесь с нами по телефону: +7 (812) 922 98 73
Или оставьте запрос: